یافته‌های نوین در مشخصات و اثرات کانال کوچک ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوتیوب کربن دوگیتی

Authors

  • زهرا عارفی‌نیا,
  • علی‌اصغر اروجی,
Abstract:

This article doesn't have abstract

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

آنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید

This paper critically examines the Short Channel Effects (SCEs) improvement techniques for improving the performance of SOI-MOSFETs.  Also for first time, a new device structure called the Shielded Channel Multiple-Gate SOI-MOSFET (SC-MG) is introduced and designed. Using two-dimensional and two-carrier device simulation, it is demonstrated that the SC-MG exhibits a significantly reduced the el...

full text

بررسی یافتههای MRI درمبتلایان به تنگی کانال نخاعی

چکیده مقدمه: تنگی کانال نخاع عبارت از باریکشدن فضا کانال با اثر فشاری بر طناب نخاعی یا ریشههای عصبی آن است و شایعترین اندیکاسیون جراحی مهرههای کمری در افراد بالای 60 ساله محسوب میشود. هدف: بررسی چگونگی و شیوع انواع یافتههای MRI در مبتلایان به تنگی کانال نخاعی کمر و ارتباط این یافتهها با سن و جنس بیماران و تعداد سطوح مبتلا و شایعترین سطح درگیری مواد و روشها: این مطالعه توصیفی به صورت مقطعی بر 11...

full text

طراحی ساختاری از ترانزیستور ماسفت دوگیتی با به‌کارگیری دو ماده، اکسید هافنیم (HfO2) و سیلیسیم-ژرمانیوم (SiGe) در کانالی از جنس سیلیسیم (DM-DG)

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

full text

تأثیر تغییرات ساختاری گیت و کانال در بهبود مشخصات کانال کوتاه ترانزیستورهای نانولوله کربنی

این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...

15 صفحه اول

اثرات نانوتیوب کربن چند جداره و نانو نقره بر برخی شاخص‌های فیزیولوژیکی و ‏مورفولوژیک گیاه باقلا (‏Vicia faba L.‎‏)‏

Abstract In order to investigate the effects of nano silver and multi wall carbon nanotube levels on ‎some morphological and physiological traits of faba bean the present study was done. This ‎factorial experiment was conducted in a completely randomized design with three replications ‎and two treatments with four concentrations (0,100,200 and 300 mgl-1). The results showed ‎the total number o...

full text

بهبود اثرات کانال کوتاه ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق

مدارات مجتمع cmos به منظور دستیابی به سرعت بالا و تراکم فشرده سازی، کوچک شدن افزاره ها را می طلبند، لذا با کوچک شدن طول گیت اثرات کانال کوتاه بسیار مهم خواهند شد. به دلیل تغییر طول گیت خواص قطعه نیز تغییر می کند. در این پایان نامه، اثرات کانال کوتاه ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق و روش های کاهش آنها و نیز ساختارهای ارائه شده بدین منظور مورد مطالعه قرار گرفته اند؛ در نهایت با استفاده از شبیه ساز...

15 صفحه اول

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


Journal title

volume 29  issue 2

pages  1- 9

publication date 2011-01

By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.

Keywords

No Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023